IRFH5406TRPBF

Ном. номер: 8001791713
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFH5406TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFH5406TRPBFФото 3/3 IRFH5406TRPBF
55 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 99 шт. — 45.10 руб.
от 414 шт. — 42.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 87 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 5-10 дней, 4502 шт. 1 шт. 1 шт.
от 4000 шт. — 59 руб.
84 руб. 6 дней, 49 шт. 1 шт. 20 шт.
от 40 шт. — 75 руб.
120 руб. 8 дней, 3010 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8, АБ

Корпус PQFN8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14.4 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
46 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
27S
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
5,4 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
12 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
14,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
21 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1256 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V
Вес, г
0.188

Дополнительная информация

Datasheet IRFH5406TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов