IRLHS6242TRPBF

Ном. номер: 8001791717
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRLHS6242TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRLHS6242TRPBFФото 3/4 IRLHS6242TRPBFФото 4/4 IRLHS6242TRPBF
10 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 452 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
67 руб. 2-4 недели, 1385 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 60 руб.
62 руб. 8 дней, 320 шт. 10 шт. 10 шт.
61 руб. 4 дня, 168 шт. 1 шт. 17 шт.
от 71 шт. — 21 руб.
от 142 шт. — 19 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8, АБ

Корпус PQFN8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11.7 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Package Type
PQFN
Maximum Power Dissipation
1.98 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
2.1mm
Height
0.95mm
Dimensions
2.1 x 2.1 x 0.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.1mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
5.8 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
19 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Drain Source Resistance
15.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pin Count
7
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
1110 pF@ 10 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Вес, г
0.046

Техническая документация

IRLHS6242PBF Datasheet
pdf, 271 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLHS6242TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов