SKM100GB125DN

Ном. номер: 8001791922
Производитель: Semikron Elektronik
Фото 1/4 SKM100GB125DN
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 SKM100GB125DNФото 3/4 SKM100GB125DNФото 4/4 SKM100GB125DN
4 240 руб.
195 шт. со склада г.Москва
от 3 шт. — 3 708 руб.
от 5 шт. — 3 532 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 480 руб. 4 дня, 8 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 4 030 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Модули IGBT

кол-во в упаковке: 8

SKM100GB125DN - модуль IGBT, 1200 В, 100 А, полумост.

Корпус SEMITRANSM

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
94.5мм
Transistor Configuration
Серия
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 А
Тип корпуса
SEMITRANS2
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
34.5мм
Высота
30.5мм
Число контактов
7
Размеры
94.5 x 34.5 x 30.5мм
Конфигурация
Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
129.1

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB125DN

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.