STW6N120K3

Ном. номер: 8001792206
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STW6N120K3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STW6N120K3
210 руб.
730 шт. со склада г.Москва
от 30 шт. — 175 руб.
от 120 шт. — 166 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
430 руб. 4 дня, 54 шт. 1 шт. 2 шт.
от 8 шт. — 250 руб.
от 16 шт. — 221 руб.
от 30 шт. — 205 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 1.2 кВ; Iс(25°C): 5 А; Rси(вкл): 2.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1.2 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.4 Ом

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Package Type
TO-247
Maximum Power Dissipation
150 W
Series
MDmesh, SuperMESH
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.15mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Height
20.15mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
2.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage
1.6V
Вес, г
6.513

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов