STF21NM60ND

Ном. номер: 8001792431
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STF21NM60ND
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STF21NM60NDФото 3/3 STF21NM60ND
170 руб.
32 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 69 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 221 руб.
от 150 шт. — 220 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 0.22 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 66 нКл; Pрасс: 30 Вт
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 220 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Package Type
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
30 W
Series
FDmesh
Mounting Type
Through Hole
Width
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Height
16.4mm
Maximum Drain Source Resistance
220 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
2.456

Техническая документация

...21NM60ND
pdf, 1389 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STF21NM60ND
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов