IRF9358PBF

Ном. номер: 8001792439
PartNumber: IRF9358PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF9358PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF9358PBFФото 3/4 IRF9358PBFФото 4/4 IRF9358PBF
49 руб.
2709 шт. со склада г.Москва
от 190 шт. — 44.40 руб.
от 380 шт. — 41.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 101 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 54 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 78 руб.
от 10 шт. — 65 руб.
49 руб. 4 дня, 59 шт. 1 шт. 33 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16.3 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9.2 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5.7 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
146 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
23,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
19 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1740 pF @ -25 V
Тип канала
A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.152

Техническая документация

IRF9358PBF datasheet
pdf, 285 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.