STP18N55M5

Ном. номер: 8001792581
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STP18N55M5
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STP18N55M5Фото 3/4 STP18N55M5Фото 4/4 STP18N55M5
46 руб.
19391 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 97 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 24 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 150 руб.
от 10 шт. — 108 руб.
140 руб. 6 дней, 1092 шт. 1 шт. 3 шт.
от 9 шт. — 82 руб.
от 17 шт. — 59 руб.
от 34 шт. — 53 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 13 А; Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом; @Uзатв(ном): 5...7 В; Uзатв(макс): 25 В
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 550 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 192 мОм

Технические параметры

EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Product Category
Power MOSFET
Material
Si
Process Technology
MDmesh V
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
550
Maximum Gate Source Voltage (V)
±25
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
5
Maximum Continuous Drain Current (A)
16
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
192@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
31@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
31
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1260@100V
Maximum Power Dissipation (mW)
90000
Typical Fall Time (ns)
13
Typical Rise Time (ns)
9.5
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
29
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
90 W
Series
MDmesh M5
Mounting Type
Through Hole
Width
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
240 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
2.729

Дополнительная информация

Datasheet STP18N55M5
Datasheet STP18N55M5
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов