SKM200GB125D

Ном. номер: 8001792925
PartNumber: SKM200GB125D
Производитель: Semikron Elektronik
Фото 1/3 SKM200GB125D
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SKM200GB125DФото 3/3 SKM200GB125D
10 430 руб.
36 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 9 840 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 430 руб.
Купить в 1 клик
IGBT силовой модуль

кол-во в упаковке: 12

IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост

Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25°C: 150А
Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
Корпус: SEMITRANS3

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Transistor Configuration
Серия
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
200 A
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панели
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Высота
30.5мм
Число контактов
3
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Конфигурация
Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
322.7

Дополнительная информация

Datasheet SKM200GB125D

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.