STP14NM50N

Ном. номер: 8001793109
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STP14NM50N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STP14NM50NФото 3/5 STP14NM50NФото 4/5 STP14NM50NФото 5/5 STP14NM50N
74 руб.
789 шт. со склада г.Москва
от 75 шт. — 61 руб.
от 300 шт. — 58 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
100 руб. 268 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 94 руб.
от 150 шт. — 92 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 12 А; @Uзатв(ном): 5...8 В; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 27 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 320 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
12 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10,2 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
42 нс
Серия
MDmesh
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
320 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
27 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
816 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Вес, г
2.717

Техническая документация

...14NM50N
pdf, 1306 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STP14NM50N
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов