STW19NM50N

Ном. номер: 8001793113
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STW19NM50N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STW19NM50NФото 3/4 STW19NM50NФото 4/4 STW19NM50N
50 руб.
1369 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 8 дней, 116 шт. 1 шт. 1 шт.
190 руб. 6 дней, 182 шт. 1 шт. 2 шт.
от 20 шт. — 86 руб.
от 60 шт. — 74 руб.
от 90 шт. — 70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0...0.25 Ом; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 34 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Package Type
TO-247
Maximum Power Dissipation
110 W
Series
MDmesh
Mounting Type
Through Hole
Width
5.15mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Height
20.15mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
6.708

Техническая документация

...19NM50N
pdf, 733 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов