IRLZ44NPBF

Ном. номер: 8001797087
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRLZ44NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRLZ44NPBFФото 3/5 IRLZ44NPBFФото 4/5 IRLZ44NPBFФото 5/5 IRLZ44NPBF
37 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 33 руб.
от 300 шт. — 31.70 руб.
от 600 шт. — 30.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 124 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
42 руб. 3336 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 39 руб.
от 150 шт. — 37 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 2V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 160A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Power Dissipation 83W Power, Pd 83W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.8°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V Voltage, Vgs th Max 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 47 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
22 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1700 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
22 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1900 pF @ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
2.66

Техническая документация

IRLZ44N Datasheet
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLZ44NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов