IPD95R450P7ATMA1

Ном. номер: 8001797097
Производитель: Infineon Technologies
IPD95R450P7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 44 шт. — 101 руб.
от 184 шт. — 96.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 39 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
360 руб. 10 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 310 руб.
от 10 шт. — 256 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Транзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7

Технические характеристики:

Корпус: DPAK-3;

Полярность транзистора: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 950 В;

Номинальный ток: 14 А;

Сопротивление открытого канала: 0.45 Ом;

Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В;

Напряжение затвор-исток: 20 В;

Заряд затвора: 35 нК;

Рабочая температура: -55...+150 °С;

Рассеиваемая мощность: 104 Вт;

Время спада: 5 нс;

Время нарастания: 7 нс;

Типичное время задержки выключения: 45 нс;

Типичное время задержки включения: 10 нс

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 450 мОм

Технические параметры

Вес, г
0.548

Дополнительная информация

Datasheet IPD95R450P7ATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов