IRFS4127TRLPBF

Ном. номер: 8001800815
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFS4127TRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFS4127TRLPBFФото 3/3 IRFS4127TRLPBF
160 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 34 шт. — 131 руб.
от 143 шт. — 125 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
343 руб. 3-4 недели, 1596 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 253 руб.
320 руб. 8 дней, 134 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 230 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

N-CH 200V 72A 22mOhm TO263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 72 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
72 А
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
375 Вт
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
9.65mm
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
100 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.072

Дополнительная информация

Datasheet IRFS4127TRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов