IRF3717TRPBF

Ном. номер: 8001810248
Производитель: Infineon Technologies
IRF3717TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 137 шт. — 33.10 руб.
от 577 шт. — 31.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 49 шт.
Добавить в корзину 49 шт. на сумму 1 960 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.4 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Package Type
SOIC
Maximum Power Dissipation
2,5 Вт
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2.45V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.55V
Высота
1.5мм
Maximum Drain Source Resistance
5.7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1V
Вес, г
0.181

Дополнительная информация

Datasheet IRF3717TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.