IRFU120NPBF

Ном. номер: 8001812233
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFU120NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFU120NPBF
30 руб.
1775 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 27 руб.
от 300 шт. — 25.60 руб.
от 675 шт. — 24.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 147 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 424 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 29 руб.
от 150 шт. — 27 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: IPAK

The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,4 А
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.3мм
Высота
6.1мм
Размеры
6.6 x 2.3 x 6.1мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4.5 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
32 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
210 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
330 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
3.907

Техническая документация

irfr120npbf
pdf, 390 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFU120NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.