BSP135H6327XTSA1

Ном. номер: 8001822731
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSP135H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSP135H6327XTSA1Фото 3/3 BSP135H6327XTSA1
49 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 102 шт. — 45 руб.
от 211 шт. — 42.70 руб.
от 442 шт. — 40.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 92 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 807 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 82 руб.
от 10 шт. — 69 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-CH Depletion MOS 600V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 25 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 мА
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
5,4 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
28 ns
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
3,7 нКл при 5 В
Номер канала
Опускание
Типичная входная емкость при Vds
98 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.195

Дополнительная информация

Datasheet BSP135H6327XTSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов