STW55NM60ND

Ном. номер: 8001822749
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STW55NM60ND
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STW55NM60ND
530 руб.
600 шт. со склада г.Москва
от 10 шт. — 474 руб.
от 19 шт. — 456 руб.
от 40 шт. — 434 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
680 руб. 381 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 664 руб.
от 150 шт. — 661 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
51 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
350 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
33 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
188 нс
Серия
FDmesh
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5800 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Вес, г
6.603

Техническая документация

STW55NM60ND
pdf, 229 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.