STB35NF10T4

Ном. номер: 8001825989
PartNumber: STB35NF10T4
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STB35NF10T4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STB35NF10T4Фото 3/5 STB35NF10T4Фото 4/5 STB35NF10T4Фото 5/5 STB35NF10T4
39 руб.
1248 шт. со склада г.Москва
от 208 шт. — 35.30 руб.
от 436 шт. — 33.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 117 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
118 руб. 4-6 недель, 749 шт. 1 шт. 1 шт.
160 руб. 64 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 82 руб.
от 10 шт. — 73 руб.
204 руб. 3-4 недели, 184 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 159 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 30 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 35 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.75mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
115 W
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
10.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
4.6mm
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
1.94

Дополнительная информация

Datasheet STB35NF10T4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.