BCW72.215

Ном. номер: 8001828438
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BCW72.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BCW72.215Фото 3/4 BCW72.215Фото 4/4 BCW72.215
3 руб.
3544 шт. со склада г.Москва
от 2100 шт. — 2.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 1839 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
28 руб. 2-4 недели, 4400 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 14 руб.
18 руб. 3-4 недели, 46 шт. 1 шт. 6 шт.
от 30 шт. — 16.90 руб.
11 руб. 3-4 недели, 3745 шт. 5 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 7.60 руб.
20 руб. 8 дней, 900 шт. 50 шт. 50 шт.
от 100 шт. — 8 руб.
от 150 шт. — 7.50 руб.
от 250 шт. — 6.92 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Вес, г
0.043

Дополнительная информация

Datasheet BCW72.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов