STW11NM80

Ном. номер: 8001838425
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STW11NM80
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STW11NM80Фото 3/4 STW11NM80Фото 4/4 STW11NM80
190 руб.
171 шт. со склада г.Москва
от 30 шт. — 155 руб.
от 120 шт. — 147 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
360 руб. 4 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 300 руб.
370 руб. 8 дней, 23 шт. 1 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 338 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Package Type
TO-247
Maximum Power Dissipation
150 W
Mounting Type
Through Hole
Width
5.15mm
Height
20.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Вес, г
6.288

Дополнительная информация

Datasheet STW11NM80
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов