MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор

Фото 2/3 MMBT5551-7-F, Биполярный транзисторФото 3/3 MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор
Фото 1/3 MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001847148
Артикул: MMBT5551-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
2 руб.
13400 шт. со склада г.Москва
от 500 шт. — 1 руб.
от 1000 шт. — 0.83 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
28 руб. 3-4 недели, 72363 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 12 руб.
от 500 шт. — 9.45 руб.
5.10 руб. 5-6 недель, 35840 шт. 20 шт. 20 шт.
от 600 шт. — 3.60 руб.
от 2000 шт. — 3.40 руб.
4.80 руб. 5-6 недель, 1950 шт. 10 шт. 30 шт.
от 100 шт. — 4.20 руб.
от 300 шт. — 3.80 руб.
от 1000 шт. — 3.20 руб.
35 руб. 5-6 недель, 3760 шт. 5 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 24 руб.
9 руб. 3-4 недели, 5825 шт. 25 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 6 руб.
от 250 шт. — 4.30 руб.
от 325 шт. — 3.41 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,2 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 300 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 В
Длина 3мм
Максимальное напряжение коллектор-база 180 В
Transistor Configuration Одинарный
Производитель DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 160 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 600 mA
Тип транзистора NPN
Высота 1.1мм
Число контактов 3
Размеры 3 x 1.4 x 1.1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 30
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
PCB changed 3
Package Height 0.98
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.3
Package Length 2.9
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 180
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 160
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1@1mA@10mA|1@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 50
Minimum DC Current Gain 80@1mA@5V|30@50mA@5V|80@10mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 300
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-23
Military No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.2 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 300 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 В
Length 3мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 180 В
Brand DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage 160 В
Тип корпуса SOT-23
Maximum Power Dissipation 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 600 мА
Тип транзистора NPN
Высота 1.1мм
Число контактов 3
Dimensions 3 x 1.4 x 1.1мм
Maximum Emitter Base Voltage 6 В
Minimum DC Current Gain 30

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551-7-F
Datasheet MMBT5551-7-F

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах