BCW66GLT1G, Биполярный транзистор

Фото 2/3 BCW66GLT1G, Биполярный транзисторФото 3/3 BCW66GLT1G, Биполярный транзистор
Фото 1/3 BCW66GLT1G, Биполярный транзистор
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001850623
Артикул: BCW66GLT1G
Производитель: ON Semiconductor
2 руб.
4500 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 0.81 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
5.20 руб. 5-6 недель, 104580 шт. 20 шт. 20 шт.
от 200 шт. — 3.90 руб.
27 руб. 2-4 недели, 6295 шт. 5 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 23 руб.
17 руб. 7 дней, 350 шт. 50 шт. 50 шт.
от 100 шт. — 7 руб.
20 руб. 4 дня, 11218 шт. 1 шт. 95 шт.
от 432 шт. — 4 руб.
от 863 шт. — 2.40 руб.
от 1726 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

The BCW66GLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AECQ101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.7 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2 V dc
Length 3.04мм
Maximum Collector Base Voltage 75 В пост. тока
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 1200 (Peak) mA, 800 (Continuous) mA
Transistor Type NPN
Высота 1.01mm
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 В пост. тока
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Automotive Standard AEC-Q101
Transistor Material Кремний
Minimum DC Current Gain 50
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,7 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В пост. тока
Length 3.04мм
Максимальное напряжение коллектор-база 75 В пост. тока
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Package Type SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 1200 (Peak) mA, 800 (Continuous) mA
Тип транзистора NPN
Высота 1.01мм
Pin Count 3
Automotive Standard AEC-Q101
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01мм
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Transistor Material Кремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 50

Дополнительная информация

Datasheet BCW66GLT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах