BCW66GLT1G, Биполярный транзистор
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
2 руб.
|
4500 шт. со склада г.Москва | |
|
от 1000 шт. —
0.81 руб.
Кратность заказа 100 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 5.20 руб. | 5-6 недель, 104580 шт. | 20 шт. | 20 шт. | |
|
от 200 шт. — 3.90 руб.
|
||||
| 27 руб. | 2-4 недели, 6295 шт. | 5 шт. | 5 шт. | |
|
от 10 шт. — 23 руб.
|
||||
| 17 руб. | 7 дней, 350 шт. | 50 шт. | 50 шт. | |
|
от 100 шт. — 7 руб.
|
||||
| 20 руб. | 4 дня, 11218 шт. | 1 шт. | 95 шт. | |
|
от 432 шт. — 4 руб.
от 863 шт. — 2.40 руб.
от 1726 шт. — 1.90 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
The BCW66GLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
• AECQ101 qualified and PPAP capable
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.7 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 2 V dc |
| Length | 3.04мм |
| Maximum Collector Base Voltage | 75 В пост. тока |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 300 мВт |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4мм |
| Maximum DC Collector Current | 1200 (Peak) mA, 800 (Continuous) mA |
| Transistor Type | NPN |
| Высота | 1.01mm |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 В пост. тока |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Кремний |
| Minimum DC Current Gain | 50 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,7 В пост. тока |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 МГц |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 В пост. тока |
| Length | 3.04мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 75 В пост. тока |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
| Package Type | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Width | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1200 (Peak) mA, 800 (Continuous) mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.01мм |
| Pin Count | 3 |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Transistor Material | Кремний |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
