IRFBC30APBF, МОП транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
от 100 шт. —
41 руб.
от 200 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Описание
Описание Транзистор MOSFET TO220
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 74 W |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFBC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Base Product Number | IRFBC30 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.1 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2200 |
| Температура, С | -55…+150 |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
