IRF7104TRPBF, Транзисторы полевые
см. техническую документацию
|
63 руб.
|
385 шт. со склада г.Москва | |
|
от 100 шт. —
25 руб.
от 200 шт. —
24 руб.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 22 руб. | По запросу | 1 шт. | 106 шт. | |
|
от 240 шт. — 17.60 руб.
от 1010 шт. — 16.80 руб.
|
||||
| 61 руб. | 3-4 недели, 6732 шт. | 1 шт. | 2 шт. | |
|
от 10 шт. — 46 руб.
от 30 шт. — 42.20 руб.
от 100 шт. — 39.50 руб.
|
||||
| 32 руб. | 4 дня, 9432 шт. | 1 шт. | 74 шт. | |
|
от 296 шт. — 24 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 2.3 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 400 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 290 пФ при -15 В |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
