IRF7104TRPBF, Транзисторы полевые

Фото 2/2 IRF7104TRPBF, Транзисторы полевые
Фото 1/2 IRF7104TRPBF, Транзисторы полевые
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001850961
Артикул: IRF7104TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
63 руб.
385 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 25 руб.
от 200 шт. — 24 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
22 руб. По запросу 1 шт. 106 шт.
от 240 шт. — 17.60 руб.
от 1010 шт. — 16.80 руб.
61 руб. 3-4 недели, 6732 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 46 руб.
от 30 шт. — 42.20 руб.
от 100 шт. — 39.50 руб.
32 руб. 4 дня, 9432 шт. 1 шт. 74 шт.
от 296 шт. — 24 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2.3 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 42 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 400 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 9.3 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 290 пФ при -15 В
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V

Дополнительная информация

Datasheet IRF7104TRPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.