BC857C.235, Транзисторы

Фото 2/3 BC857C.235, ТранзисторыФото 3/3 BC857C.235, Транзисторы
Фото 1/3 BC857C.235, Транзисторы
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001851372
Артикул: BC857C.235
Производитель: NXP Semiconductor
3 руб.
800 шт. со склада г.Москва
от 500 шт. — 2 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
0.70 руб. 92165 шт. 1 шт. 3247 шт.
26 руб. 3-4 недели, 25 шт. 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -300 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -700 mV
Length 3мм
Maximum Collector Base Voltage -50 V
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage -45 V
Package Type SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 250 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -65 °C
Ширина 1.4mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type PNP
Высота 1мм
Pin Count 3
Размеры 3 x 1.4 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Automotive Standard AEC-Q101
Minimum DC Current Gain 420

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.