Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал ...

IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 1.9А [SOT-223]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

57 руб.

от 50 шт. — 53 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 57 руб.

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 9000617725

Артикул: IRFL014NTRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRFL014NTRPBF производства INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность печатной платы (SMD). Данный полупроводниковый элемент обладает током стока 1,9 А и напряжением сток-исток 55 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих эффективного управления мощностью. Мощностные характеристики транзистора составляют 2,1 Вт. Устройство помещено в надежный корпус SOT223, который обеспечивает удобство в интеграции с электронными схемами. Применение транзистора IRFL014NTRPBF гарантирует долговечность и стабильность в работе электронных устройств. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	1.9
Напряжение сток-исток, В	55
Мощность, Вт	2.1
Корпус	SOT223

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.16 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.1
Крутизна характеристики, S	1.6
Корпус	SOT-223
Вес, г	0.39