IRF1018ESPBF

Ном. номер: 8001852231
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF1018ESPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF1018ESPBF
53 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 100 шт. — 43.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 8 дней, 545 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 120 руб.
от 50 шт. — 103 руб.
от 100 шт. — 88 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 79 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.4 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
79 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2290 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.346

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов