IRFR3410TRPBF

Ном. номер: 8001852233
PartNumber: IRFR3410TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFR3410TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFR3410TRPBFФото 3/6 IRFR3410TRPBFФото 4/6 IRFR3410TRPBFФото 5/6 IRFR3410TRPBFФото 6/6 IRFR3410TRPBF
39 руб.
377 шт. со склада г.Москва
от 224 шт. — 35.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 127 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
78 руб. 5-10 дней, 1445 шт. 1 шт. 1 шт.
66 руб. 8 дней, 1270 шт. 10 шт. 50 шт.
от 200 шт. — 54 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
39 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1690 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.547

Дополнительная информация

Datasheet IRFR3410TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.