STW4N150

Ном. номер: 8001854142
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 STW4N150
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 STW4N150Фото 3/6 STW4N150Фото 4/6 STW4N150Фото 5/6 STW4N150Фото 6/6 STW4N150
210 руб.
2095 шт. со склада г.Москва
от 24 шт. — 191 руб.
от 49 шт. — 184 руб.
от 90 шт. — 175 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
310 руб. 399 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 301 руб.
от 150 шт. — 299 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1.5 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
MDmesh
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1300 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
6.5

Техническая документация

...4N150
pdf, 753 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW4N150
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов