STD20NF20

Ном. номер: 8001874335
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/7 STD20NF20
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 STD20NF20Фото 3/7 STD20NF20Фото 4/7 STD20NF20Фото 5/7 STD20NF20Фото 6/7 STD20NF20Фото 7/7 STD20NF20
53 руб.
17649 шт. со склада г.Москва
от 101 шт. — 44 руб.
от 424 шт. — 41.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 89 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 74 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 82 руб.
от 10 шт. — 68 руб.
52 руб. 6 дней, 680 шт. 1 шт. 31 шт.
от 62 шт. — 46 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.125 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 28 нКл; Pрасс: 90 Вт
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 125 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
940 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Process Technology
STripFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
200
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Maximum Continuous Drain Current (A)
18
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
125@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
28@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
28
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
940@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
90000
Typical Fall Time (ns)
10
Typical Rise Time (ns)
30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Typical Turn-On Delay Time (ns)
15
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Diode Forward Voltage (V)
1.6
Вес, г
0.42

Дополнительная информация

Datasheet STD20NF20
Datasheet STD20NF20
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов