STW18NM80

Ном. номер: 8001874341
PartNumber: STW18NM80
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STW18NM80
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STW18NM80Фото 3/3 STW18NM80
190 руб.
1373 шт. со склада г.Москва
от 44 шт. — 170 руб.
от 90 шт. — 160 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
370 руб. 5 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 300 руб.
390 руб. 3 дня, 280 шт. 1 шт. 1 шт.
от 23 шт. — 210 руб.
270 руб. 4 дня, 112 шт. 1 шт. 7 шт.
от 13 шт. — 245 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
96 нс
Серия
MDmesh
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
295 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2070 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Вес, г
6.533

Дополнительная информация

Datasheet STW18NM80

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.