IPT007N06NATMA1

Ном. номер: 8001879522
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPT007N06NATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPT007N06NATMA1Фото 3/3 IPT007N06NATMA1
330 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 17 шт. — 272 руб.
от 71 шт. — 259 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
590 руб. 6 дней, 46 шт. 1 шт. 1 шт.
от 3 шт. — 410 руб.
от 5 шт. — 380 руб.
от 10 шт. — 355 руб.
840 руб. 1 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: PGHSOF8, АБ

МОП-транзистор в корпусе HSOF, 300 А, 60 В, 0.66 мОм

Характеристики:

Полярность: N;

Напряжение сток-исток: 60 В;

Ток: 300 А;

Сопротивление сток-исток, макс.: 0.75 мОм при 150 А, 10 В;

Пороговое напряжение затвор-исток: 2.1 В;

Напряжение затвор-исток: ±20 В;

Заряд затвора: 216 нКл;

Рассеиваемая мощность: 375 Вт;

Рабочая температура: -55...+175 °С;

Размеры: 10.58х10.1х2.4 мм;

Корпус: PG-HSOF-8

Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 300 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мкОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
300 A
Тип корпуса
HSOF
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
10.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
320S
Высота
2.4мм
Размеры
10.58 x 10.1 x 2.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.58мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
38 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
76 нс
Серия
OptiMOS 5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
216 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
16000 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V
Вес, г
1.055

Дополнительная информация

Datasheet IPT007N06NATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов