IPD65R400CEAUMA1

Ном. номер: 8001879525
PartNumber: IPD65R400CEAUMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPD65R400CEAUMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPD65R400CEAUMA1Фото 3/3 IPD65R400CEAUMA1
42 руб.
819 шт. со склада г.Москва
от 193 шт. — 38 руб.
от 405 шт. — 35.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 109 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 3-4 недели, 1644 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 108 руб.
от 100 шт. — 76 руб.
170 руб. 25 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 76 руб.
от 10 шт. — 64 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET, N-CH, 650V, 15.1A, TO-252
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
15.1 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
118 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
6.22mm
Height
2.41mm
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.41mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
57 ns
Series
CoolMOS CE
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
710 pF @ 100 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage
0.9V
Вес, г
0.66

Дополнительная информация

Datasheet IPD65R400CEAUMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.