IRFB3607PBF

Ном. номер: 8001888250
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB3607PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB3607PBFФото 3/3 IRFB3607PBF
31 руб.
13470 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 28 руб.
от 300 шт. — 26.70 руб.
от 700 шт. — 25.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 141 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
46 руб. 5071 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 38 руб.
от 150 шт. — 36 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.66 x 4.82 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3070 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.64

Техническая документация

IRFS3607PBF Datasheet
pdf, 416 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB3607PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.