BSZ100N06LS3GATMA1

Ном. номер: 8001904937
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 BSZ100N06LS3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BSZ100N06LS3GATMA1
23 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
111 руб. 3-4 недели, 9981 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 84 руб.
от 30 шт. — 78.10 руб.
от 100 шт. — 73.10 руб.
160 руб. 15 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 140 руб.
от 10 шт. — 103 руб.
110 руб. 8 дней, 315 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 81 руб.
от 250 шт. — 60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTSDSON8, АБ

Корпус PGTSDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Package Type
TDSON
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Series
OptiMOS 3
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Height
1.1mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Drain Source Resistance
17.9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.07

Дополнительная информация

Datasheet BSZ100N06LS3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов