NTLJD3119CTBG

Ном. номер: 8001922432
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NTLJD3119CTBG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NTLJD3119CTBG
19 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 235 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
59 руб. 8 дней, 9000 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: WDFN6, АБ

Preferred Device: Power MOSFET 20V 4.6A 65 mOhm Dual Complementary WDFN6
Корпус WDFN-6, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 А, 4,6 А
Тип корпуса
WDFN
Максимальное рассеяние мощности
2,3 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2мм
Высота
0.75мм
Размеры
2 x 2 x 0.75мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
2мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
3,8 нс, 5,2 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
11,1 нс, 13,7 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ, 200 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3.7 nC @ 4.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
271 пФ при 10 В, 531 пФ при -10 В
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet NTLJD3119CTBG
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов