NTMFS4835NT1G

Ном. номер: 8001922433
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 NTMFS4835NT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 NTMFS4835NT1GФото 3/3 NTMFS4835NT1G
22 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 202 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 8 дней, 1490 шт. 5 шт. 5 шт.
170 руб. 2-4 недели, 1488 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 133 руб.
от 100 шт. — 94 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: SOIC8, АБ

Power MOSFET 30V 104A 3.5 mOhm Single N-Channel SO-8FL
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.1mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Package Type
SO-8FL
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.1mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Height
1.1mm
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.16

Дополнительная информация

Datasheet NTMFS4835NT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов