NTR4171PT1G

Ном. номер: 8001922434
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 NTR4171PT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 NTR4171PT1GФото 3/4 NTR4171PT1GФото 4/4 NTR4171PT1G
7 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 830 шт. — 5.40 руб.
от 3000 шт. — 5.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 723 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 2-4 недели, 7775 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 32 руб.
29 руб. 3-4 недели, 1515 шт. 5 шт. 25 шт.
от 60 шт. — 18 руб.
28 руб. 8 дней, 375 шт. 25 шт. 25 шт.
от 50 шт. — 26 руб.
30 руб. 4 дня, 953 шт. 1 шт. 43 шт.
от 99 шт. — 9 руб.
от 197 шт. — 7.20 руб.
от 394 шт. — 6.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Power MOSFET 30V 3.5A 75 mOhm Single P-Channel SOT-23
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3.5 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1.01
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс, 9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
25 нс, 32 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
720 pF@ -15 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс, 9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
25 нс, 32 нс
Максимальный непрерывный ток стока
3.5 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Высота
1.01мм
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
720 pF@ -15 V
Тип канала
A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Вес, г
0.03

Дополнительная информация

Datasheet NTR4171PT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов