FDD8647L

Ном. номер: 8001922453
PartNumber: FDD8647L
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDD8647L
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 FDD8647LФото 3/3 FDD8647L
43 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 202 шт. — 39.30 руб.
от 423 шт. — 37.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 114 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
190 руб. 3-4 недели, 810 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 130 руб.
от 7 шт. — 92 руб.
от 53 шт. — 71.51 руб.
145 руб. 4-6 недель, 629 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 134 руб.
150 руб. 8 дней, 145 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 110 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус TO252

MOSFET силовой модуль
Кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
52 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
43 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
19 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
13,6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1230 пФ при 20 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.549

Дополнительная информация

Datasheet FDD8647L

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.