FDA50N50

Ном. номер: 8001922500
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDA50N50
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 FDA50N50Фото 3/3 FDA50N50
130 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 36 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
273 руб. 3-4 недели, 4365 шт. 1 шт. 30 шт.
от 394 шт. — 236 руб.
579 руб. 3-4 недели, 323 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 476 руб.
620 руб. 8 дней, 95 шт. 1 шт. 1 шт.
от 6 шт. — 550 руб.
от 15 шт. — 506 руб.
540 руб. 3-4 недели, 133 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 465 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO3P, АБ

Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Корпус TO3P

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
48 A
Тип корпуса
TO-3P
Максимальное рассеяние мощности
625 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.8мм
Высота
19.9мм
Размеры
15.6 x 4.8 x 19.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
105 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
225 ns
Серия
UniFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
105 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
105 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4979 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
7.185

Дополнительная информация

Datasheet FDA50N50
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов