MMBT4401LT1G

Ном. номер: 8001923202
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/8 MMBT4401LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 MMBT4401LT1GФото 3/8 MMBT4401LT1GФото 4/8 MMBT4401LT1GФото 5/8 MMBT4401LT1GФото 6/8 MMBT4401LT1GФото 7/8 MMBT4401LT1GФото 8/8 MMBT4401LT1G
0.90 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 6000 шт. — 0.69 руб.
от 27000 шт. — 0.66 руб.
Мин. кол-во для заказа 5618 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 11614 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
1.50 руб. 3-4 недели, 870250 шт. 50 шт. 100 шт.
от 500 шт. — 1.10 руб.
от 1500 шт. — 0.97 руб.
от 5000 шт. — 0.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 40V; Current, Ic Continuous a Max: 500mA; Voltage, Vce Sat Max: 0.4V; Power Dissipation: 225mW; Hfe, Min: 100; ft, Typ: 250MHz; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.75 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Длина
2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
0.94мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
40
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.95@15mA@150mA|1.2@50mA@500mA
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.6
Minimum DC Current Gain
80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V|40@1mA@1V|20@0.1mA@1V
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
250(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Standard Package Name
SOT
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.029

Техническая документация

MMBT4401LT1-Datasheet
pdf, 147 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MMBT4401LT1G
Datasheet MMBT4401LT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов