BSS84LT1G

Ном. номер: 8001923310
PartNumber: BSS84LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BSS84LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSS84LT1GФото 3/4 BSS84LT1GФото 4/4 BSS84LT1G
2 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 4900 шт. — 1.60 руб.
от 9000 шт. — 1.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2748 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
99 руб. 4782 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 55 руб.
от 5 шт. — 22 руб.
от 10 шт. — 12 руб.
6 руб. 4 дня, 5359 шт. 1 шт. 109 шт.
от 401 шт. — 3 руб.
от 802 шт. — 2.30 руб.
от 1604 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 130 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 10 Ом

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9мм
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
225 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.3мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Height
0.94mm
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Maximum Drain Source Voltage
50 В
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.03

Дополнительная информация

Datasheet BSS84LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.