BC848BLT1G

Ном. номер: 8001923323
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/6 BC848BLT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BC848BLT1GФото 3/6 BC848BLT1GФото 4/6 BC848BLT1GФото 5/6 BC848BLT1GФото 6/6 BC848BLT1G
2 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 5000 шт. — 0.90 руб.
от 21000 шт. — 0.86 руб.
Мин. кол-во для заказа 4311 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 14091 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
3.90 руб. 3-4 недели, 1200 шт. 20 шт. 40 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,9 В
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
0.94мм
Число контактов
3
Размеры
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Minimum DC Current Gain
200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Standard Package Name
SOT
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.032

Техническая документация

BC846-850
pdf, 215 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC848BLT1G
Datasheet BC848BLT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов