BSS138

Ном. номер: 8001923336
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/6 BSS138
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BSS138Фото 3/6 BSS138Фото 4/6 BSS138Фото 5/6 BSS138Фото 6/6 BSS138
3 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 2300 шт. — 2 руб.
от 9000 шт. — 1.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 1931 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 10634 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 60 руб.
от 5 шт. — 26 руб.
от 10 шт. — 15 руб.
12 руб. 5-6 недель, 19170 шт. 5 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

МОП-транзистор с N-каналом и управлением логическими уровнями; напряжение сток-исток 50 В; ток стока 0.22 А, сопротивление открытого канала 3.5 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 1.7 нКл; мощность рассеивания 0.36 Вт; корпус SOT-23

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.92mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
220 mA
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
360 mW
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Height
0.93mm
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
220 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.3мм
Высота
0.93мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
2,5 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
20 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Максимальное сопротивление сток-исток
3.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
50 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
1,7 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
27 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.031

Техническая документация

BSS138
pdf, 116 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSS138
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов