MMBT6517LT1G

Ном. номер: 8001923381
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MMBT6517LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MMBT6517LT1G
7 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 686 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 6 дней, 5824 шт. 1 шт. 10 шт.
от 74 шт. — 14 руб.
от 148 шт. — 12 руб.
от 295 шт. — 9.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 30, Коэффициент усиления по току, max 200

Технические параметры

Вес, г
0.03

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов