FDN5618P

Ном. номер: 8001923396
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDN5618P
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 FDN5618PФото 3/3 FDN5618P
9 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 650 шт. — 7 руб.
от 3000 шт. — 6.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 227 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 64 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 60 руб.
от 5 шт. — 30 руб.
от 10 шт. — 22 руб.
40 руб. 3-4 недели, 2011 шт. 1 шт. 3 шт.
от 30 шт. — 27.50 руб.
от 100 шт. — 25.60 руб.
38 руб. 6 дней, 3997 шт. 1 шт. 11 шт.
от 129 шт. — 11 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -60 В; ток стока -1.25 А, сопротивление открытого канала 0.17 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 8.6 нКл; мощность рассеивания 0.5 Вт; корпус SuperSOT-3
Корпус TO236

Технические параметры

Вес, г
0.041

Дополнительная информация

Datasheet FDN5618P
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.