2N7000TA

Ном. номер: 8001923416
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 2N7000TA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 2N7000TAФото 3/4 2N7000TAФото 4/4 2N7000TA
5 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 1100 шт. — 4.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 937 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
8 руб. 8579 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 6.50 руб.
от 1000 шт. — 5.20 руб.
4.50 руб. 3-4 недели, 30000 шт. 2000 шт. 2000 шт.
от 24000 шт. — 3.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO92, АБ

Корпус TO-92-3

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
10 нс
Максимальный непрерывный ток стока
200 mA
Тип корпуса
TO-92
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.19мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Высота
5.33мм
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Категория
Малый сигнал
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
30 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
0.299

Техническая документация

2N7000TA datasheet
pdf, 115 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N7000TA
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео