MMBT2222ALT1G

Ном. номер: 8001923476
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/7 MMBT2222ALT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 MMBT2222ALT1GФото 3/7 MMBT2222ALT1GФото 4/7 MMBT2222ALT1GФото 5/7 MMBT2222ALT1GФото 6/7 MMBT2222ALT1GФото 7/7 MMBT2222ALT1G
0.70 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 9000 шт. — 0.58 руб.
от 33000 шт. — 0.55 руб.
Мин. кол-во для заказа 6757 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 6767 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 3.90 руб.
от 1000 шт. — 2.60 руб.
1.40 руб. 3-4 недели, 251750 шт. 50 шт. 100 шт.
от 500 шт. — 1.10 руб.
от 1500 шт. — 0.94 руб.
от 5000 шт. — 0.87 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.6 V dc
Length
3.04mm
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
225 mW
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
600 (Continuous) mA
Transistor Type
NPN
Height
1.01mm
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Transistor Material
Si
Minimum DC Current Gain
35
Вес, г
0.031

Техническая документация

MMBT2222ALT1 Datasheet
pdf, 85 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MMBT2222ALT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов