NDT2955

Ном. номер: 8001923529
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 NDT2955
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 NDT2955Фото 3/3 NDT2955
14 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 345 шт. — 13 руб.
от 716 шт. — 12 руб.
от 1502 шт. — 11.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 313 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
87 руб. 1286 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 55 руб.
от 5 шт. — 34 руб.
от 10 шт. — 25 руб.
17 руб. 4 дня, 984 шт. 1 шт. 127 шт.
от 253 шт. — 14 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: TO261, АБ

МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -60 В; ток стока -2.5 А, сопротивление открытого канала 0.3 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 11 нКл; корпус SOT-223-4
Корпус TO261

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
3 W
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.56mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
1.6mm
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.231

Дополнительная информация

Datasheet NDT2955
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.