MJE15032G

Ном. номер: 8001923684
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/8 MJE15032G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 MJE15032GФото 3/8 MJE15032GФото 4/8 MJE15032GФото 5/8 MJE15032GФото 6/8 MJE15032GФото 7/8 MJE15032GФото 8/8 MJE15032G
42 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 106 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
81 руб. 1312 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 73 руб.
от 150 шт. — 71 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: SOT78, АБ

TRANSISTOR, NPN, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 250V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 0.5V Power Dissipation 2W Min Hfe 50 ft, Typ 30MHz Case Style TO-220 Termination Type Through Hole Alternate Case Style SOT-78B Application Code PGP Current Ic Max 8A Current Ic av 1A Current Ic hFE 1A Device Marking MJE15032 No. of Pins 3 Power, Ptot 50W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 250V ft, Min 30MHz
Корпус SOT78, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 50

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
30 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.28мм
Максимальное напряжение коллектор-база
250 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.28мм
Число контактов
3
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
30 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.28мм
Максимальное напряжение коллектор-база
250 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.28мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
250
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
250
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@0.1A@1A
Maximum DC Collector Current (A)
8
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
10000
Minimum DC Current Gain
10@2A@5V|70@500mA@5V|50@1A@5V
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
30(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.28(Max)
Package Length
10.53(Max)
Package Width
4.83(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
8
Статический коэффициент передачи тока hfe мин
50
Hfe при токе коллектора, А
1
Hfe при напряжении к-э, В
5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
50
Корпус
TO220
Диапазон рабочих температур, оС
-65...150
Вес, г
3.087

Техническая документация

MJE15032 Datasheet
pdf, 97 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJE15032G
Datasheet MJE15032G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.